机译:应变InGaas / Gaas量子阱中带偏移的精确测定 通过C-V剖面和schroedinger-poisson自洽模拟得到的井
机译:通过电容电压分布和Schroedinger-Poisson自洽仿真确定应变In_xGa_(1-x)As / GaAs量子阱中的带隙
机译:通过光电流测量确定InGaAsP-InGaAsP应变多量子阱中增强的带隙
机译:INASXP1-X / INP应变层量子阱中带隙的自洽确定及大容量INASXP1-X的下沉参数
机译:价带偏移对载体寿命和激光阈值在GaAs上生长的压缩应变钟表井激光器的影响
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:InGaAs / GaAs / AlGaAs阶跃量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆形光电流效应引起的自旋光电流谱
机译:在拉伸应变的Ingaas量子阱中的II型重组和带偏移测定
机译:n型InGaas / Gaas应变单量子阱的带隙能量和导带质量的压力依赖性